Přeskočit na obsah
Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology - Cressler, John D. (Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA)

Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology - Cressler, John D. (Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA)

Stabilní cena

Aktuální cena je nejnižší za posledních 30 dní.

5 875 Kč

Taylor & Francis Inc

Celý popis

Do obchodu

O produktu

Examines the design, fabrication, and application of silicon heterostructure transistors. This book focuses on SiGe HBT BiCMOS and Si/SiGe CMOS technologies. It covers topics including materials, transistor optimization, fabrication, devices, structural innovations, modeling, and simulation, and potential markets.
Tip: Podívejte se také na další produkty z kategorie Elektronika a komunikace.

Vývoj ceny

Podobné produkty

Specifikace

EAN
9781420066876

Recenze

Recenze u nás zatím nikdo nenapsal — budete první?

Napsat recenzi

Před zveřejněním si recenzi jen rychle přečteme.

Další oblíbené produkty