Přeskočit na obsah
Radiation Defect Engineering - Vera, Abrosimova (Inst Of Microelectronics Tech  a  High Purity Materials, Russia) a Kozlovski, Vitali V (St Petersburg State Tech Univ, Russia)

Radiation Defect Engineering - Vera, Abrosimova (Inst Of Microelectronics Tech a High Purity Materials, Russia) a Kozlovski, Vitali V (St Petersburg State Tech Univ, Russia)

Růst ceny o 1 %

Nejnižší cena od 10. 9. 2026: 2 879 Kč.

2 909 Kč

World Scientific Publishing Co Pte Ltd

Celý popis

Do obchodu

O produktu

Explores radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. This book considers the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results.
Tip: Podívejte se také na další produkty z kategorie Elektronika a komunikace.

Vývoj ceny

Podobné produkty

Specifikace

EAN
9789812565211

Recenze

Recenze u nás zatím nikdo nenapsal — budete první?

Napsat recenzi

Před zveřejněním si recenzi jen rychle přečteme.

Další oblíbené produkty